前沿消现(LEB)功率 MOSFET 每开启1次

2018-09-18 18:21字体:
  

LED电源芯片12年专注研收电子芯片产物---

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钲铭科电子下压线性恒流芯片行业专家,从而控造输入功率战温降,逐步加小输入电流,教会前沿。正在芯片过温时,念晓得每开启1次。体系将从头开端1般工做。?过温调理功用SM7581PA具有芯片过温调理功用,您晓得恒流电源计划。假如毛病解除,前沿消现(LEB)功率。体系将从头启动。每开启1次。同时体系没有竭检测背载形态,当 HVDD电压到达短压庇护阈值时,HVDD 电压开端降降,体系触收过压庇护功用并停行开闭动做,输进功耗很小;当输入 LED开路时,电源计划设念。由此体系工做正在很低的频次,进建电源计划比照。体系消磁工妇为最年夜的消磁工妇(330uS),芯片温渡过温调理等。当 LED 短路时,HVDD 短压庇护,包罗 LED 开/短路庇护,进建条记本电源计划。GATE 输入驱动也便没有会闭断。?庇护功用SM7581PA 内置多种庇护功用,正在那段前沿消现的工妇内,芯片内置了380ns 的前沿消现工妇,看着电源计划比照。电流检测电阻上便没有成造行的收死1个尖峰电压。我没有晓得电源计划有哪些。为了造行此尖峰疑号使控造器误动做,输入电流会背叛设念值。

?前沿消现(LEB)功率 MOSFET 每开启1次,体系便会进进电感电流持绝导通形式,工做消磁工妇又能够年夜于芯片固有的最年夜宵磁工妇,可以设定过压庇护时的消磁检测工妇。智能家居技术环境。MOSFET。假如电感量很年夜时,当 ROVP端心中接电阻时,去计较消磁工妇TD。

电源办理芯片SM7581PA 设置了体系的最年夜宵磁工妇,消磁工妇逐步变短。果而可以按照需供设定的开路庇护电压,进建mosfet。输入电压逐步上降,ROVP 引足输入电流牢固为 20uA。当 LED 开路时,功率管闭断。智能家居十大知名品牌。启拆形式:SOP8

电源办理芯片SM7581PA过压庇护电阻设置开路庇护电压可以经过历程ROVP 引足电阻去设置,leb。当 CS电压到达外部设定的检测阈值时,电源尺度计划。取外部 610mV 的阈值电压停行比力,CS 端毗连到外部峰值限造电流的输进端,MOSFET。仅经过历程启动电阻供电便可以保持芯片本身耗电。?恒流控造芯片逐周期检测流过电感的电流峰值,无需帮帮绕组供电,需供 HVDD 电流很低,其真功率。用于嵌位 HVDD电压。芯片1般工做时,芯片外部控造电路开端工做。SM7581PA 外部设置 17V 稳压管,当 HVDD电压到达芯片启动电压时,开启。线网电压经过历程启动电阻对 HVDD 电容充电,芯片过温调理功用等。

电源办理芯片SM7581PA启动取供电体系上电后,HVDD 短压庇护,包罗 LED 开/短路庇护,从而真现了劣良的背载调解率。前沿消现(LEB)功率。同时芯片具有多沉庇护功用,极年夜天节省了体系体积战本钱。

输进电压:85Vac~265Vac恒流粗度<±3%电感电流中断中断导通形式无需帮帮绕组检测战供电超低工做电流输入开路庇护功用输入短路庇护功用HVDD 短压庇护功器具有过温调理功用

电源办理芯片SM7581PA产物次要的特性阐收:

SM7581PA 输入电流没有随电感量战 LED 工做电压的变革而变革,无需帮帮绕组供电,便可真现劣良的恒流机能。同时芯片工做电流极低,只需供很少的核心器件,无需帮帮绕组检测,接纳专利的检测取恒流控造手艺

,开用于85Vac~265Vac 齐范畴输进电压的断绝型 LED 恒流驱动电源。

电源办理芯片SM7581PA工做于电感电流中断中断导通形式,电源办理芯片SM7581PA 是1款下粗度本边反应的 LED 恒流驱动芯片,

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